期刊文献+

半导体器件非抛物型流体动力学模型

A Nonparabolic Hydrodynamic Model for Semiconductor Device
下载PDF
导出
摘要 从 Boltzmann迁移方程出发 ,在载流子分布函数没有任何限制 ,能带结构也没有任何假设的情况下导出了 Boltzmann迁移方程的前三阶矩方程 ,然后在 Kane弥散关系和指数定律弥散关系两种非抛物型能带关系下分别得到了非抛物型流体动力学模型 ,并对模型作了归一化处理。 In this paper,without using any assumptions of the distribution function and energy band dispersion relation,we obtain the first three moments of the Boltzmann transport equation from the BTE.Then we present the nonparabolic hydrodynamic model satisfying the Kane dispersion relation and the power law dispersion relation,respectively.Finally we nondimensionalize the model.
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期46-52,共7页 Research & Progress of SSE
关键词 半导体器件 非抛物型 流体动力学模型 semiconductor device nonparabolic energy band hydrodynamic model
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Bordelon T J,Solid State Electron,1992年,35卷,2期,131页
  • 2Woolard D L,Phys Rev B,1991年,44卷,20期,11119页
  • 3Wang C T,Solid State Electron,1985年,28卷,8期,783页

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部