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首款4G基带芯片合肥问世

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摘要日前，由合肥东芯通信公司承担的合芜蚌试验区重大科技项目取得重大成果，自主研发出国内4GTD-LTE基带芯片。该芯片从研发到流片仅用了26个月时间，一次流片成功，并取得测试成功。该款芯片硅片面积为40mm^2，采用65nm工艺，封装后芯片尺寸为11×11mm^2，在同等工艺条件下面积最小，

出处《中国集成电路》 2012年第6期1-1,共1页 China lntegrated Circuit

关键词基带芯片合肥 4G 65nm工艺自主研发科技项目通信公司芯片尺寸

分类号 TN929.533 [电子电信—通信与信息系统]

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中国集成电路

2012年第6期

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