硅锗射频集成电路已商品化量产

早在几年以前,ADI公司的设计人员和IBM硅锗制造厂的集成电路设计者就在国际电子器件会议(IEDM,美国加州旧金山)上公布了硅锗技术。几年来,数字电路和模拟电路的设计人员都在期待着出现商用化的、基于硅锗技术的产品。早期的研究成果中有一个8位、IGHz的模数转换器(ADC),它的硅性能可与最好的砷化镓(GaAs)水平相媲美。这也正是硅锗技术的优势:采用硅半导体工艺制造的晶体管,其截止频率(f_T)可以达到100GHz。 然而遗憾的是,早期硅锗工艺的产量很低,硅锗器件非常低的击穿电压也限制了总的功率耗散能力,另外。