GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制

Si Ge/ Si Mach- Zehnder Interferometer Modulator

基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。

A Si Ge Mach- Zehnder interferometer modulator based on the plasma dispersion effect has been fabricated.A maximum modulation depth of86 %with aπ- phase- shift voltage of0 .9V has been achieved at1.3μm wavelength.The switching current and the injecting current density are40 m A and 0 .97k A/cm2 ,respectively.