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科学家首次成功地在硅上集成50μm的厚锗——构造单片半导体结构技术取得突破

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摘要 瑞士和意大利的科学家在2012年3月30日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大的突破,成功地在硅上集成了50μm的厚锗;新结构几乎完美无缺,最新的研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。微电子设备几乎离不开硅,硅价格低廉、储藏丰富且坚固耐用。但硅也并非万能,有些材料的性能也比硅强,因此科学家正在想方设法地让硅同锗等其它半导体材料“联姻”,以获得这两种材料的最好性能,拓展新的应用领域。
出处 《电子产品可靠性与环境试验》 2012年第3期39-39,共1页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing
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