摘要
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
The mechanism of current leakage in Double Channel Planar Buried Heterrostructure （DCPBH） superluminescent diode （SLD） with p-n-p-n current blocking structure is theoretical analyzed and quantitative calculated. The ideal lateral current confinement is obtained by optimizing the structure and growth conditions of LPE .
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期342-345,共4页
Semiconductor Optoelectronics
