砷作业的安全防护
出处
《劳动保护》
2000年第6期40-40,共1页
Labour Protection
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1曲钢,徐茵,顾彪,秦福文,郎佳红.镓基砷化物、氮化物量子点研究进展[J].电子元件与材料,2004,23(1):45-47.
-
2单晶Ga-Al砷化物的超薄片基和薄膜结构工艺[J].中亚信息,2004(4):10-10.
-
3刘广荣.美国研究者设计出发光晶体管[J].半导体信息,2005,0(4):28-29.
-
4Avago Technologies高功率红外线发射器系列[J].电子产品世界,2006,13(03X):41-41.
-
5GAO Yuan,ZHANG Bao-jun,ZHANG Bo.Design of on-chip 15-18 GHz ultra low noise amplifier[J].The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications,2014,21(4):15-18. 被引量：1
-
6侯峙云,周桂耀,李东源,侯蓝田.高强度红外光医疗系统的设计[J].激光杂志,2006,27(2):77-77.
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7Avago Technologies推出高功率870nm和940nm红外线发射器系列产品[J].电信科学,2006,22(2):95-95.
-
8徐鸣,施卫,侯磊,薛红,吴慎将,戴慧莹.High Current Operation of a Semi-insulating Gallium Arsenide Photoconductive Semiconductor Switch Triggering a Spark Gap[J].Chinese Physics Letters,2010,27(2):120-122. 被引量：2
-
9半导体器件[J].电子科技文摘,2001,0(2):16-17.
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10硅锗技术使示波器得以实现高性能[J].今日电子,2005(2):26-26.
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