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关于VLSI器件中噪声问题的研究

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摘要 随着VLSI器件的快速发展,电路中的噪声变成了非常具有挑战性的问题。在VLSI期间中,CMOS凭借着本身的特点发挥着无与伦比的作用。本文介绍了几种降低噪声影响的方法,优化CMOS器件组成电路,提高噪声容忍度,或者是通过直接对器件的某些方面做出调整,降低了器件噪声。
出处 《电子世界》 2012年第12期93-94,共2页 Electronics World
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参考文献3

  • 1A low-power COMS low noise amlifier for UWB applicationsUltra-Wideband (ICUWB),2010 IEEE International Conference on Date of ConferenceSept.2010 Author(s):Chang-Hsi Wu Dept.of Electron.Eng.,Lunghwa Univ.of Sci.& Technol.,Taoyuan,Taiwan Yu-Po Lin.
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  • 3Design a low-noise operadonal amp/ifier with constant- gmAuthor(s):JUi-Lin Lai.Ting-You Lin.Cheng-Fang Tal;yi-Te Lal;Rnng-Jian ChenSICE Annual Conference 2010,Proceedings of Ptblication Year:,2010,Page(s):322-326.

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