确定JFET特性的简单电路

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摘要当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=p（VGs—VP）2，其中，ID是漏极电流。VGS是栅源电压，β是跨导参数，

作者 John Fattaruso

机构地区德州达拉斯

出处《电子设计技术 EDN CHINA》 2012年第7期59-59,62,共2页 EDN CHINA

关键词 JFET 电流特性简单电路器件参数近似模型漏极电流晶体管设计者

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电子设计技术 EDN CHINA

2012年第7期

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