摘要
介绍了一种基于GaN功率放大芯片的Ku波段宽带固态功率放大器的设计与实现。通过采用目前已经成熟的合成技术,进行了128路的功率合成,获得了大于1 000W的宽带输出功率和20%的功率附加效率,并分析了基于GaN芯片的固态功放的优势。
An application of a Ku-band board-band SSPA based on GaN PA MMIC is shown in this paper. A existent 128-way combining structure is used, and above 1 000 W power output is got with high efficiency of 20%. Finally the advantages of the GaN MMIC are analyzed.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期230-233,256,共5页
Research & Progress of SSE
关键词
氮化镓
三代半导体
固态功率放大器
GaN
the 3^rd dgeneration semi-conductor
solid-state power amplifier
