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FDPC8011S：N沟道模块

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摘要飞兆半导体公刊推出一款25V、3．3mm×3．3mm低侧高双功率芯片非对称N沟道模块FDPC8011S，帮助设计人员应对这一系统挑战。专为更高的开关频率的应用而开发，在一个采用全Clip封姨内集成1．4mΩSyncFETTM技术和一个5．4mΩ控制MOSFET、低质最因子的N沟道MOSFET，

出处《世界电子元器件》 2012年第7期33-33,共1页 Global Electronics China

关键词 N沟道MOSFET 模块飞兆半导体功率芯片设计人员开关频率 CLIP 非对称

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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2012年第7期

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