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FDPC8011S:N沟道模块
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摘要
飞兆半导体公刊推出一款25V、3.3mm×3.3mm低侧高双功率芯片非对称N沟道模块FDPC8011S,帮助设计人员应对这一系统挑战。专为更高的开关频率的应用而开发,在一个采用全Clip封姨内集成1.4mΩSyncFETTM技术和一个5.4mΩ控制MOSFET、低质最因子的N沟道MOSFET,
出处
《世界电子元器件》
2012年第7期33-33,共1页
Global Electronics China
关键词
N沟道MOSFET
模块
飞兆半导体
功率芯片
设计人员
开关频率
CLIP
非对称
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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