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单层二硫化钼谷选择圆偏振光吸收性质被证实

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摘要北京大学国际量子材料科学中心冯济研究组和王恩哥研究组与中科院物理所及半导体所合作首次从理论上预言,并从实验上证实了单层二硫化钼的谷选择圆偏振光吸收性质。他们通过第一性原理计算对单层二硫化钼的光吸收进行了研究分析。结果表明，

出处《中国科学院院刊》 2012年第4期510-510,共1页 Bulletin of Chinese Academy of Sciences

关键词二硫化钼吸收性质圆偏振光单层第一性原理计算科学中心北京大学半导体

分类号 TQ136.12 [化学工程—无机化工]

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