中芯国际与灿芯半导体40LL双核ARM Cortex-A9测试达1．3GHz

中芯国际和灿芯半导体近日宣布采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM CortexTM--A9MPCoreTM双核芯片测试结果达到1．3GHz。该测试芯片基于ARMCortex—A9双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。