宏力半导体建国内首个O．18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

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摘要上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国内首个0．18微米“超低漏电”（Ultra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。0．18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0．18微米“低功耗”工艺平台上实现了进一步技术提升，

出处《中国集成电路》 2012年第7期3-3,共1页 China lntegrated Circuit

关键词半导体制造嵌入式闪存平台工艺漏电微米国内宏

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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