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Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

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摘要日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。

出处《电子设计工程》 2012年第14期71-71,共1页 Electronic Design Engineering

关键词功率MOSFET 导通电阻 N沟道 SC-70封装刷新 Inc 增强型器件

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
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2赵佶.Vishay MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录[J].半导体信息,2014(2):5-6.
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电子设计工程

2012年第14期

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