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用于PIII的高电压脉冲发生器

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作者卫冰

出处《等离子体应用技术快报》 2000年第1期12-13,共2页

关键词等离子体浸没离子植入高电压脉冲发生器

分类号 TL629.1 [核科学技术—核技术及应用]

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2曾照明,汤宝寅,王松雁,田修波,刘爱国,王小峰,朱箭豪.表面凹陷对等离子体浸没离子注入均匀性的影响[J].计算物理,2000,17(4):449-454. 被引量：8
3荣刚,张家文,郭义庆,张少强,赵棣新.BES-Ⅱ快速数据重建(英文)[J].核电子学与探测技术,2002,22(2):105-110. 被引量：2

等离子体应用技术快报

2000年第1期

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