科学家首次成功在硅上集成50μm厚锗

瑞士和意大利科学家指出，他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破，成功在硅上集成了50μm厚锗，新结构几乎完美无缺，最新研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。