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CMOS电路热载流子可靠性设计

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摘要本文通过对影响ＭＯＳＦＥＴ器件热载流子可靠性的主要因素的讨论，提出了ＣＭＯＳ电路中热载流子可靠性设计的一般性策略，并从电路、结构和工艺等方面提出了几种典型的应用方法。

作者罗宏伟孙青

机构地区信息产业部电子第

出处《电子产品可靠性与环境试验》 2000年第1期34-38,23,共6页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关键词热载流子可靠性设计 MOSFET器件 CMOS电路

分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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