LEC生长6英寸SI—GaAs片的工艺情况
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1未休.坩埚对LEC生长InP单晶特性的影响[J].电子材料快报,1998(8):17-18.
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2赵彦桥,刘彩池,郝秋艳,孙卫忠.大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷[J].Journal of Semiconductors,2007,28(z1):133-136.
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3王洪波,高玉.线性回波抵消器LEC的实现[J].西安邮电学院学报,2001,6(3):34-38. 被引量:1
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4吴凤美,滕敏康,沈德熏,陈岭.未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究[J].南京大学学报(自然科学版),1990,26(1):39-42.
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5张燕文,姬成周,李国辉.MeV Si^+注入SI-GaAs的激活能研究[J].固体电子学研究与进展,1993,13(3):205-209. 被引量:1
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6郭小兵,周智慧,胡恺生,张绵.半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究[J].半导体情报,2000,37(4):41-43.
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