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p型掺杂ZnO薄膜的研究进展 被引量：1

Recent progress on p-type doping ZnO thin films
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摘要 近年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电领域应用的开发研究,制备可靠稳定的低阻p型ZnO薄膜成为研究热点之一。本文论述了p型ZnO薄膜制备的难点及其解决方法,综述了其最新研究进展,并对p型ZnO的研究进行了展望。 In recent years,with the development of optical properties of ZnO and its application in the optoelectronics field,preparation of reliable,stable and low-resistivity p-type ZnO films become a research hotspot.This article discusses the problem why p-type is difficult to dope in ZnO thin films and the solutions.Recent advance of p-type ZnO films are summarized and the preparation trends are predicted.
作者 肖立娟 赵鹤平 李长山 郝佳伟
机构地区 吉首大学物理与机电工程学院
出处 《真空》 CAS 2012年第4期78-82,共5页 Vacuum
基金 湖南省研究生科研创新项目(CX2011B399) 湖南省自然科学基金(09JJ6011) 湖南省高等学校科研基金(08A055)
关键词 ZNO薄膜 光电性质 P型掺杂 ZnO thin film optoelectronic properties p-type doping
分类号 O484 [理学—固体物理] TN304 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

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共引文献32

同被引文献1

引证文献1

二级引证文献4

真空
2012年 第4期

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