等离子体刻蚀金刚石膜的研究方法及现状
摘要
等离子体刻蚀是金刚石膜的抛光、切割和图形化等加工过程中一项很重要的技术。本文综述了国内外等离子体刻蚀金刚石膜的研究成果。
出处
《佛山陶瓷》
2012年第8期14-17,共4页
Foshan Ceramics
参考文献14
-
1郑先锋,马志斌,张磊,王传新,满卫东,汪建华.直流辉光氧等离子体刻蚀金刚石膜的研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2007,27(1):35-38. 被引量：5
-
2戴忠玲,毛明,王友年.等离子体刻蚀工艺的物理基础[J].物理,2006,35(8):693-698. 被引量：19
-
3张峥,霍晓.CVD金刚石薄膜抛光技术的研究进展[J].真空科学与技术,2000,20(4):270-273. 被引量：11
-
4S. Kiyohara, K. Moil. Oxygen ion beem assisted etching of single crystal diamond chip using reactive oxygen gas [J]. Journal of materials science, 2011,477 (12):381-385.
-
5Karlsson M, Hjort K, Nikolajeff F. Transfer of continuous-relief diffractive structures into diamond by use of inductively coupled plasma dry etching [J]. Opt Lett, 2008,26(22):172 - 175.
-
6. Pearton SJ, Katz A, Ren F, Lothian JR. ECR plasma etching of chemically vapour deposited diamond thin films [J], Electron Lett1992, 28(9):82-84.
-
7H. Buchkremer-Hermanns, C. Long, H. Weiss. ECR plasma polishing of CVD diamond films [J]. Diamond and Related Materials, 1996, 5(1): 845-849.
-
8Gopi M.R. Sirineni, H.A. Naseem. Reactive ion etching ofdiamond as a means of enhancing chemically-assisted mechanical polishing efficiency [J]. Diamond and Related materials, 1997,6 (1): 952-958.
-
9P. W. Leech, G. K. Reeves. Reactive ion etching of diamond in CF4,O2,02 and Ar-based mixtures [J]. Journal of materials science, 2008, 36 (5): 3453-3459.
-
10姚翔,沈荷生,丁桂甫,朱军,张志明,张寿柏.金刚石薄膜的反应离子刻蚀[J].微细加工技术,2000(3):23-28. 被引量：9
二级参考文献29
-
1王俊峰,汪建华,满卫东,王亚.微波等离子刻蚀CVD金刚石膜提高机械研磨效率[J].武汉化工学院学报,2005,27(1):56-59. 被引量：5
-
2Godyak V A,Kolobov V I.Phys.Rev.Lett.,1997,79:4589
-
3Godyak V.Phys.Plasmas,2005,12:055501
-
4Godyak V A,Piejak R B,Alexandrovich B M et al.Phys.Rev.Lett.,1999,83:1610
-
5Liebermanand M A,Lichtenberg A J.Principle of Plasma discharges and Materials Processing.John Wiler & Sons,INC,2005
-
6Goto H H,Lowe H -D,Ohmi T.J.Vac.Sci.Technol.A,1992,10:3048
-
7Lieberman M A,Booth J P,Chaber P C et al.Plasma Sour.Sci.Technol.,2002,11:283
-
8Kim H C,F Iza,S S Yang et al.J.Phy.D:Appl.Phys.,2005,38:R283
-
9Kolobov V I,Godyak V A.IEEE Trans.Plasma Sci.,1995,23:503
-
10Lieberman M A.IEEE Trans.Plasma Sci.,1989,17:338
共引文献40
-
1陈博文,孙树峰,王茜,张丰云,邵勇,张丽丽,赵大利,王萍萍,陈希章,刘纪新,曹爱霞,孙维丽.材料表面激光抛光技术研究进展[J].中国表面工程,2021,34(6):74-89. 被引量：12
-
2王成勇,郭钟宁,陈君.旋转电极电火花抛光金刚石膜[J].机械工程学报,2002,38(z1):168-171. 被引量：4
-
3潘鑫,马志斌,吴俊.ECR等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2013,33(1):23-25. 被引量：1
-
4王兰喜,陈学康,王云飞,郭晚土,吴敢,曹生珠,尚凯文.纳米金刚石薄膜紫外探测器研究[J].真空科学与技术学报,2009,29(S1):16-20. 被引量：3
-
5冯明海,方亮,刘高斌,侯爱国,张勇,王万录.金刚石刻蚀技术研究[J].材料导报,2006,20(1):101-103. 被引量：8
-
6陆晓曼,张继成,吴卫东,朱永红,郭强,唐永建,孙卫国.电子回旋共振微波等离子体刻蚀α：CH薄膜的工艺[J].强激光与粒子束,2008,20(4):683-686. 被引量：3
-
7满卫东,谢鹏,吴宇琼,孙蕾,汪建华.关于CVD金刚石表面图形化的研究进展[J].真空与低温,2008,14(2):63-67. 被引量：2
-
8吴卫东,陆晓曼,张继成,朱永红,郭强,唐永建,孙卫国.类金刚石薄膜的反应离子刻蚀[J].真空科学与技术学报,2008,28(6):570-574. 被引量：1
-
9马兴伟,金洙吉,闫石.TiAl基合金的制备及其摩擦磨损性能[J].机械工程材料,2009,33(3):27-30.
-
10靳慧智,史新伟,陈林峰,姚宁,张兵临,王新昌.金刚石薄膜摩擦学性能研究进展[J].真空,2009,46(3):31-37. 被引量：3
-
1苏堤,陈本敬.金刚石薄膜的应用[J].材料导报,1995,9(5):33-36. 被引量：5
-
2曾云.a—Si等离子体刻蚀的研究[J].微细加工技术,1991(2):53-56.
-
3孙遂荣,刘一彬.大容量等离子刻蚀、去胶机的研制[J].微电子学与计算机,1989,6(6):16-17.
-
4张磊,阮帮秋.迎接移动通信另一个春天的到来[J].无线电工程,2002,32(3):25-29.
-
5杨邦朝,陈亿.多芯片组件（MCM）可靠性研究的特点与研究方法[J].混合集成技术,1997,8(2):115-117.
-
6孙亦宁.金刚石膜的应用和发展现状[J].真空与低温,1994,13(1):50-54. 被引量：1
-
7苏毅,谭淞生,孙承龙,陈良尧,王渭源,钱佑华.等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性及均匀性实验研究[J].传感技术学报,1994,7(2):36-41. 被引量：1
-
8刘苏平,张国琦,高鸿楷,张济康.一种新型砷化镓抛光工艺的研究[J].半导体技术,1989,5(3):32-34.
-
9刘志恩,陈会义.硅片的无蜡抛光工艺[J].半导体杂志,1990,15(2):14-16.
-
10顾长志,金曾孙.金刚石膜的性质、应用及国内外研究现状[J].功能材料,1997,28(3):232-236. 被引量：32
