期刊文献+

影响区熔硅单晶电阻率均匀性的主要因素 被引量:2

The Main Factors of the Impact Zone Melting Silicon Single Crystal Resistivity Uniformity
下载PDF
导出
摘要 通过对弯曲的结晶界面的研究,分析其对分凝系数、分凝方向及界面杂质分布的影响;通过改变拉晶参数以改变结晶界面的弯曲程度,减小分凝系数的变化及径向分凝的强度。分析影响电阻率均匀性的主要因素,改变其生产工艺。 In this paper, the study of the curved crystal interface. Analyze its impact on the segregation coefficient and direction of segregation on the interface impurity distribution. By changing the pulling parameter changes the degree of bending of the crystal interface, Changes reduce the segregation coefficient and radial segregation strength. Analysis of the main factors to affect the uniformity of the resistivity, change the production process.
作者 刘洪
出处 《电子工业专用设备》 2012年第8期4-6,共3页 Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词 FZ单晶 结晶界面 径向分凝 FZ crystal Crystalline interface Radial segregation
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献5

  • 1易师圣 沈益元 周国大.高反压硅晶体管的优质材料--NTD硅单晶.上海有色金属,1981,10(2):51-60.
  • 2LUDGE A, RUDGE H. Doping inhomogeneities in silicon crystals detected by the lateral photovoltage scanning (LPS) method[ C ] //Inst Phys Conf Ser. GB, 1997 : 145.
  • 3黄志方.加热线圈内径计算公式的应用--改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺探讨之三.稀有金属,1978,12(6):55-58.
  • 4徐稼迟.硅的中子嬗变掺杂.核技术,1982,43(3):74-76.
  • 5辛荣生,张国平,林钰,徐恩霞.Fz硅气相掺杂(GGD)的计算方法[J].郑州大学学报(自然科学版),1998,30(4):27-30. 被引量:2

共引文献3

同被引文献11

引证文献2

二级引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部