76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

AlGaN/GaN HEMT on 76.2mm Si Substrate

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摘要南京电子器件研究所采用含有双AIGaN过渡层的材料结构在76．2mm（3英寸）Si绀底上外延生长了厚度超过2μm的AIGaN／GaNHEMT材料（图1），材料表而光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条件优化，

作者倪金玉孔岑周建军李忠辉陈堂胜

机构地区南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期F0003-F0003,共1页 Research & Progress of SSE

关键词 SI基南京电子器件研究所材料结构外延生长条件优化过渡层材料表

分类号 TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]

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