申请号：201110217641．9专利

名称：一种纳米金刚石薄膜的制备方法摘要：本发明公开了一种纳米金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）对衬底进行辅助形核处理；（2）在衬底表面沉积纳米金刚石薄膜；（3）对纳米金刚石薄膜进行去氢处理：将步骤（2）得到的覆盖有纳米金刚石薄膜的置于3-8kPar的氧气氛围下，并加热到100℃～300℃，保持5min-60min。本发明通过去除纳米金刚石薄膜表面的氢化层，使纳米金刚石薄膜获得更高、更稳定的电导率，进一步扩大了纳米金刚石薄膜的应用范围。