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薄膜太阳电池系列讲座(15) 硅基薄膜太阳电池(七)
被引量:
1
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摘要
(3)非晶硅氧(a-SiO:H)合金[34,35]以H稀释硅烷添加CO2作混合气源,控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02/(C02+SiH4)(其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。/(SiH4+H2)表示),在等离子体放电作用下,C02、SiH4、H2之间将产生以下反应:SiH44+C02+H2→a-SiO:H,生成非(或微)晶硅氧合金薄膜。
作者
张晓丹
赵颖
熊绍珍
机构地区
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 光电信息技术科学教育部重点实验室 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室
出处
《太阳能》
2012年第15期16-17,共2页
Solar Energy
关键词
薄膜太阳电池
硅基
等离子体放电
SIH4
合金薄膜
C02
衬底温度
浓度比
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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太阳能
2012年 第15期
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