专利名称：一种纳米钼酸汞化合物及其诱导控制合成生长方法

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摘要专利申请号：CN200910201027．6公开号：GN101717121A申请日：2009．12．14公开日：2010．06．02申请人：上海应用技术学院本发明公开了一种纳米钼酸汞化合物及其诱导控制合成生长方法。即分别移取0～6体积的醇类溶剂和1体积的汞盐溶液，超声处理的同时，

出处《中国钼业》 2012年第4期60-60,共1页 China Molybdenum Industry

关键词汞化合物生长方法控制合成专利名称诱导钼酸纳米上海应用技术学院

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中国钼业

2012年第4期

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