设计一款超低噪声的S频段放大器
摘要
工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性，甚至使人畏惧。不过，采用最新的GaAs（砷化镓）异质结FET，可以设计出有高稳定增益和低于1dB噪声系数的放大器（参考文献1）。本设计就讲述了一个有0．77dB噪声系数的低噪声放大器。
参考文献3
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