期刊文献+

使用低成本氧化锌材料制造半导体元件

下载PDF
导出
摘要 日本株式会社富士通研究所目前已实现使用低成本的氧化锌材料制造半导体元件,并力争于2015年投入市场。
作者 杨钦慧
出处 《电世界》 2012年第9期53-53,共1页 Electrical World
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部