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HgOCuSe电子结构的密度泛函研究

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摘要 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算研究了HgOCuSe材料的电子结构,发现费米面主要由Se 4p Cu 3d和O 2p电子组成。从键长和拉普拉斯电子密度分布分析,得出Hg-O键为离子键而Cu-Se键为共价键。
作者 花亮
出处 《科技创新导报》 2012年第24期16-17,共2页 Science and Technology Innovation Herald
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参考文献6

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