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中芯国际推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平台

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摘要 中芯国际宣布推出其1.2伏低功耗嵌入式EEPROM的平台,与其0.13微米低漏电工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证,在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时,能提高数据的安全性。
出处 《中国集成电路》 2012年第10期1-1,共1页 China lntegrated Circuit
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