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中芯国际推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平台
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摘要
中芯国际宣布推出其1.2伏低功耗嵌入式EEPROM的平台,与其0.13微米低漏电工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证,在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时,能提高数据的安全性。
出处
《中国集成电路》
2012年第10期1-1,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
嵌入式EEPROM
低功耗
平台
微米
国际
芯片尺寸
全兼容
安全性
分类号
TN929.53 [电子电信—通信与信息系统]
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中国集成电路
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