摘要
介绍了一种超大规模集成电路层间介质膜的平坦化技术 ,通过对双层布线中复合膜(CVD- Si O2 膜和 SOG膜 )的回刻 ,使器件在具有高的沟或接触孔的深宽比 (aspect ratio)条件下 ,在双层金属膜之间的层间介质膜上获得了好的台阶覆盖性。
This article introduces a optimum combined film etchback process for ULSI planarization with high-aspect-ratio. By use of this process, we can get good step coverage properties in multilevel metallization.
出处
《电子工程师》
2000年第7期43-44,共2页
Electronic Engineer
