电话机所用CMOS模拟电路设计技术
出处
《微电子技术》
2000年第3期47-50,共4页
Microelectronic Technology
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1施敏,郭迎冬,王强,徐晨.基于0.13μm工艺的低于1V带隙基准电压源设计[J].南通大学学报(自然科学版),2008,7(1):37-41.
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2盛敬刚,陈志良,石秉学.1V电源的CMOS开关电容滤波器[J].电路与系统学报,2005,10(1):28-30. 被引量:1
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3于健海,毛志刚,陈伟平.基于自适应遗传算法的模拟电路的优化设计方法[J].哈尔滨工程大学学报,2011,32(1):103-108. 被引量:3
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4于宗光.适用于模拟及模数混合IC的ESD保护结构[J].电子与封装,2002(1):38-46.
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5闫新强,张玉明,林智.CMOS带隙基准电压源的设计[J].电子元器件应用,2007,9(8):54-56. 被引量:1
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6解放,罗闯.CMOS模拟集成电路版图设计[J].微处理机,2012,33(3):4-6. 被引量:1
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7王为之,靳东明,张洵.基于CMOS模拟电路的高速模糊神经网络设计[J].电子学报,2007,35(5):946-949. 被引量:1
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8盛敬刚,陈志良,石秉学.1V电源的CMOS能隙电压基准源[J].Journal of Semiconductors,2005,26(4):826-829. 被引量:8
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9梁艳,靳东明.基于CMOS模拟电路的径向基函数神经网络[J].Journal of Semiconductors,2008,29(2):387-392. 被引量:6
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10陈琛,何乐年,严晓浪.一种中心值精确可调的高性能带隙基准电压源[J].电路与系统学报,2009,14(2):95-98. 被引量:3
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