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肖特基势垒和欧姆接触 被引量:2

Schottcky barrier and Ohmic contact
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摘要 用能带结构的观点分析了金属和半导体相接触时的机理 ,并简要介绍了肖特基二极管的构造及应用 . The mechanism while the metal and semiconductor come into contact each other is analysed by using the standpoint of energy band structure.The structure and application of Schottcky diode are also introduced in brief.
作者 孟庆忠
出处 《烟台师范学院学报(自然科学版)》 2000年第2期153-156,共4页 Yantai Teachers University journal(Natural Science Edition)
关键词 肖特基势垒 欧姆接触 费米能级 半导体器件 金属 Schottcky barrier Ohmic contact Fermi level
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参考文献1

  • 1[美]森吐瑞(S·D·Senturia),[美]韦德劳(B·D·Wedlock) 著,清华大学应用学及工学教研组.电子线路及应用[M]人民邮电出版社,1981.

同被引文献5

引证文献2

二级引证文献1

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