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石墨烯的SiC外延生长及应用(续) 被引量：2

Epitaxial Growth of Graphene on SiC Substrate and Their Application (Continued)
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摘要 3.3 X射线光电子能谱XPS能谱分析的基本原理：一定能量的X光照射到样品表面和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。通过接收并测量这些光电子的能量,得到原子或分子内部各轨道的结合能,从而就可以了解样品中元素的组成。图8所示为样品的XPS能谱图。
作者 陆东梅 杨瑞霞 孙信华 吴华 郝建民
机构地区 河北工业大学信息工程学院 河北工业大学理学院 中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期745-749,775,共6页 Semiconductor Technology
关键词 外延生长 X射线光电子能谱 SIC 应用 石墨 X光照射 能谱分析 自由电子
分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献78

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引证文献2

二级引证文献4

半导体技术
2012年 第10期

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