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中芯国际新推0.13μm技术 将助阵金融IC卡

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摘要 中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平台,与其0.13微米(um)低漏电(LL)工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证,在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时,能提高数据的安全性。这个新平台为中芯国际的成熟工艺节点提供了最新的增值服务,主打中国快速发展的双界面金融IC卡市场及全球非接触式智能卡市场。
出处 《金卡工程》 2012年第9期51-51,共1页 Cards World
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