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电子显微镜在金属-半导体纳米线界面原位合金化中的应用

Application of electron microscope in situ alloying at metal-semiconductor contact
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摘要 利用原位电子显微方法研究了金属-ZnSe半导体纳米线界面合金化过程,结果表明:在脉冲电流的作用下,ZnSe纳米线可以产生明显的焦耳热效应,导致金属-ZnSe纳米线界面发生合金化反应。通过调整纳米线与金属电极的接触面积,可将焦耳热效应准确控制在界面内,进而实现纳米尺度的合金化反应。 In situ alloying at metal-ZnSe nanowire interface has been studied by means of transmission electron microscopy. The results show interracial reaction initialized by Joule heat produced by pulse electron current flowing through the metal-ZnSe nanowire contact. The alloying can be controlled at nanoscale by adjusting the contact area between the metal electrode and the nanowire.
作者 王岩国
出处 《分析仪器》 CAS 2012年第5期23-27,共5页 Analytical Instrumentation
基金 国家自然科学基金资助课题(项目批准号60796078 10774174)
关键词 电子显微镜 原位合金化 金属-半导体界面 electron microscope in situ alloying metal-semiconductor contact
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参考文献12

  • 1Monch W. Electronic Properties of Semiconductor Inter- face. Berlin: Springer,2003.
  • 2Wang Y G, Zou B S, Wang T H,Wang N, Cai Y, Chan Y F, Zhou S X. Nanotechnology, 2006, 17: 2420 2423.
  • 3Klason P, Nur O, Willander M. Nanotechnology, 2008,19:475202.
  • 4Connelly D, Faulkner C, Grupp D E, Harris J S. IEEE Trans. Nanotechnology, 2004,3 : 98 104.
  • 5Tazibt W, Mialhe P, Charles J P, Belkhir M A. Micro- electronics Reliability, 2008,48 : 348353.
  • 6Lu K C, Tu K N, Wu W W, Chen L J, Yoo B Y,MyungNV. ApplPhysLett, 2007,90: 253111.
  • 7Chou Y C, Wu W W, Cheng S L, Yoo B Y, Myung N V, Chen L J, Tu K N. Nano Lett, 2008, 8: 2194 2199.
  • 8Huang J Y, Ding F, Yakobson B I. Phys. Rev Lett, 2008,100:035503 .
  • 9Wang M S, Wang J Y, Chen Q, Peng L M. Adv FuncMater, 2005,15 18251831.
  • 10Jin C H, Wang J Y, Chen Q, Peng L M. J Phys Chem B, 2006,110:54235431.

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