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气相法生长金刚石薄膜过程和热解 CVD 实验 被引量:3

Growth of Diamond Thin Films by Gas Phase and Experaments by Thermal CVD
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摘要 本文简述了气相法生长金刚石薄膜的基本过程,论述了反应气体系统及碳源浓度、激活源、基片温度和预处理等参数对金刚石结构和性能的重要影响. This paper reports the fundamental process of the diamond thinfilms synthesized by gas phase.It deals with the significant influences of thereactive gas systems,carbon concentrations,activated sources,substratetemperatures and pre-treatment on the properties and structures of the films.
出处 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期73-80,共8页 Journal of Shanghai Jiaotong University
基金 国家高技术和上海市自然科学基金资助课题
关键词 金刚石薄膜 热解CVD 薄膜 气相法 生长 diamond thin film gas phase growth thermal chemical vapor deposition
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