摘要
本文简述了气相法生长金刚石薄膜的基本过程,论述了反应气体系统及碳源浓度、激活源、基片温度和预处理等参数对金刚石结构和性能的重要影响.
This paper reports the fundamental process of the diamond thinfilms synthesized by gas phase.It deals with the significant influences of thereactive gas systems,carbon concentrations,activated sources,substratetemperatures and pre-treatment on the properties and structures of the films.
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期73-80,共8页
Journal of Shanghai Jiaotong University
基金
国家高技术和上海市自然科学基金资助课题
关键词
金刚石薄膜
热解CVD
薄膜
气相法
生长
diamond thin film
gas phase growth
thermal chemical vapor deposition