Si（111）基面上外延成长的Co／Cu／Co三层的磁性和磁阻性能

俄罗斯东方联合大学A．V．Davydenko等人测定了Si（111）基面上外延成长的Co／Cu／Co三层的巨磁阻特性，cu隔层厚度变化于O～7ML之间。测定结果表明，cu隔层为3．0ML时，出现巨磁阻和反铁磁耦合特性，反铁磁耦合在第一个反铁磁极大值中的占比为17％。