期刊文献+

应用于模数转换的高精度带隙基准源 被引量:8

High precision bandgap reference applied to analog-to-digital conversion
下载PDF
导出
摘要 设计了一种应用于模数转换的高精度带隙基准电压源和电流源电路,利用温度补偿技术,该电路能分别产生零温度系数的基准电压VEEF、零温度系数的基准电流IZVAV。仿真结果显示,采用标准0.18μmCMOS工艺,在室温27℃和2.8V电源电压的条件下,电路工作频率为10Hz和1kHz时,电源抑制比(PSRR)分别为-107dB和-69dB,‰F及IZTAT的温度系数分别是20.6×10-6/℃和40.3×10-6/℃,功耗为238uw,可在2.4~3.6V电源电压范围内正常工作。 A high precision bandgap reference voltage and current source circuit which was applied to analog-to-digital conversion was designed. With the help of temperature compensation technology, the circuit respectively produced a zero temperature coefficient reference voltage VREF and current IZTAr. Simulating results show that when the circuit uses a standard 0.18 μm CMOS technology, at room temperature 27 ℃, 2.8 V power supply, working frequency are 10 Hz and 1 kHz respectively, the power supply rejection ratios of the circuit are -107 dB and -69 dB, respectively, the temperature coefficients of VREF and IZTAT are 20.6×10^-6 /℃ and 40.3×10^-6/℃, respectively, power consumption is 238 μW, power supply range is 2.4 - 3.6 V when normal working.
出处 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期55-58,共4页 Electronic Components And Materials
基金 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(No.ZYGX2010J040)
关键词 模数转换 带隙基准源 电源抑制比 温度系数 analog-to-digital conversion bandgap reference power supply rejection ratio temperature coefficient
  • 相关文献

参考文献5

  • 1LEE E K F. Low voltage CMOS bandgap references with temperature compensated reference current output [C]// IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Paris: IEEE, 2010.
  • 2徐星,袁红辉,陈世军,刘强.高性能CMOS带隙基准电压源及电流源的设计[J].半导体技术,2011,36(3):229-233. 被引量:7
  • 3wEN W, WEN Z P, ZHANG Y X. An improved CMOS bandgap reference with self-biased cascaded current mirrors [C] // IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuit. Tainan, China: IEEE, 2007.
  • 4EI KHOLY M M. Low noise low voltage sub bandgap reference voltage with PTAT current generator [C]//IEEE International Design and Test Workshop. Riyadh, Saudi Arabia: IEEE, 2009.
  • 5RAZAVIB.模拟CMOS集成电路设计[M].陈贵灿,程军,译.西安:西安交通大学出版社,2002:319-320.

二级参考文献7

共引文献34

同被引文献45

  • 1吴国平,黄年亚,刘桂芝.一种二阶曲率补偿带隙基准的研究[J].电子器件,2005,28(3):696-698. 被引量:6
  • 2张红南,曾健平,田涛.分段线性补偿型CMOS带隙基准电压源设计[J].计测技术,2006,26(1):35-38. 被引量:4
  • 3冯勇建,胡洪平.一种低功耗CMOS带隙基准电压源的实现[J].微电子学,2007,37(2):231-233. 被引量:16
  • 4RAZAVIB.模拟CMOS集成电路设计[M].陈贵灿,程军,译.西安:西安交通大学出版社,2002:319-320.
  • 5RAZAVIB.模拟CMOS集成电路设计[M].两安:西安交通大学出版社,2003:384-390.
  • 6Razavi,B.模拟CMOS集成电路设计[M].陈贵灿译.西安:西安交通大学出版社,2002.458-462.
  • 7高榕.高精度BiCMOS基准源温度补偿策略及电路实现[D].西安:西安电子科技大学,2011.17-22.
  • 8MORAGAR.集成电路设计:从二极管到高阶带隙基准源[M].黄晓宗.译.北京:科学出版社,2013.35-37.
  • 9徐伟.带曲率补偿的带隙基准及过温保护电路研宄与设汁[D].成都:西南交通大学,2009.
  • 10BUCK A,MCDONALD C.A CMOS bandgap reference without resistors[J].J Solid State Circuits,2002,37(1):81-83.

引证文献8

二级引证文献40

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部