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用微波反射法测HgCdTe中少数载流子寿命

Measurement of Minority Carrier Lifetime in HgCdTe Using Microwave Reflectance Technique
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摘要 介绍了用微波反射法测量HgCdTe中的少数载流子寿命 ,分析了其测量原理 ,并与接触式的光电导衰减法进行了对比。 A new method of microwave reflectance applied in measurement for the minority carrier lifetime in HgCdTe is introduced.The measuring mechanism is analyzed and comparison with the contact photoconduction decay measurement is carried out.
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期253-255,共3页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 微波反射法 载流子寿命 HGCDTE microwave reflectance minority carrier lifetime HgCdTe
  • 相关文献

参考文献2

  • 1[1]Ramsa A P, Jacobs H, Brand F A, et al. Microwave techniques in measurements of lifetime in germanium [J ]. J.Appl. Phys., 1959, 30(7): 1 054 - 1 060.
  • 2[2]Kunst M, Beck G. The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements[J ]. J. Appl. Phys., 1986, 60(10) :3 558 - 3 566.

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