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a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索

The Structure and 1.54μm Luminescence of Er Defects in a-SiCx∶H and β-SiC
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摘要 本文提出在宽带隙的a SiCx∶H或 β SiC中共掺铒和氧以实现铒的 1 5 4μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了 β SiC中Er缺陷的电子结构 ,并在实验上实现了Er在a SiCx∶H中的 1 5 4μm光致发光(77K) .结果表明 ,β SiC或a SiCx :H有可能是实现Er的 1 5 It was proposed to co doped erbium and oxygen in a SiCx∶H or β SiC with wide band gap in order to realize 1 54μm luminescence of erbium at room temperature.The electronic structure of erbium related defects in β SiC were calculated with cluster model and EHMO theory.and photoluminescence of erbium in a SiCx∶H were realized (at 77K).The results indicated that a SiCx∶H or β SiC could be good host materials for 1 54μm luminescence of erbium at room temperature.
出处 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期135-138,共4页 Acta Electronica Sinica
基金 中科院半导体所材料科学开放实验室资助课题 教育部光学信息技术科学开放实验室资助课题
关键词 硅基合金 a-SiCx:H Β-SIC Er缺陷结构 发光 Si-based alloy Er-O complex luminescence EHMO theory
  • 引文网络
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献2

  • 1王启明,物理学进展,1996年,16卷,75页
  • 2Michel J,J Appl Phys,1991年,70卷,2672页
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