摘要
在HgCdTe焦平面器件制备过程中 ,由于受材料尺寸的限制 ,使得光刻图形的分辨率大大降低。改变涂胶条件和采用投影式曝光方式 ,可改善HgCdTe小片光刻图形的分辨率。
In the process of making MCT FPA, the small size MCT material will influence the Resolution of photo lithograph. The improved methods of the photo lithograph fitted to MCT small chip were discussed.
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2000年第5期19-22,共4页
Infrared Technology