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对提高HgCdTe小片光刻图形分辨率的讨论

The Methods of Improving the Photo-Lithograph Resolution on HgCdTe Small Chip
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摘要 在HgCdTe焦平面器件制备过程中 ,由于受材料尺寸的限制 ,使得光刻图形的分辨率大大降低。改变涂胶条件和采用投影式曝光方式 ,可改善HgCdTe小片光刻图形的分辨率。 In the process of making MCT FPA, the small size MCT material will influence the Resolution of photo lithograph. The improved methods of the photo lithograph fitted to MCT small chip were discussed.
作者 姜军
机构地区 昆明物理研究所
出处 《红外技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期19-22,共4页 Infrared Technology
关键词 HGCDTE 光刻 分辨率 光刻胶 边缘效应 MCT photo lithograph differentiation photo resist edge bread
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参考文献2

  • 1李兴,超大规模集成电路技术基础,1999年
  • 2施敏,半导体器件物理与工艺,1992年

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