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中芯国际推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平台

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摘要 中芯国际集成电路制造有限公司近日推出1.2v低功耗嵌入式EEPROM平台,与其0.13微米低漏电(LL)工艺完全兼容。该平台经过流片及IP验证,在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时,能提高数据的安全性。这个新平台可用于中国快速发展的双界面金融IC卡市场及全球非接触式智能卡市场。
出处 《集成电路应用》 2012年第10期43-43,共1页 Application of IC
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