摘要
采用磁控溅射法制备以AlN和Al2O3为不同过渡层的ZnO薄膜,研究不同过渡层对ZnO薄膜的结构、形貌及电学性能影响。结果表明,以AlN和Al2O3两种过渡层制备的ZnO薄膜依然呈C轴择优取向,而以AlN为过渡层的X射线衍射峰的2θ角更接近ZnO体材料的衍射峰位,且粗糙度更小,晶粒呈圆球密堆结构,膜面更光滑,结晶更致密。
出处
《科技视界》
2012年第29期38-38,30,共2页
Science & Technology Vision
基金
牡丹江师范学院重点创新预研项目
项目编号为:Gy201001
牡丹江师范学院科学技术研究项目
项目编号为:Ky201109
牡丹江师范学院研究生学术科技创新项目
项目编号为:yjsxscx2012-15mdjnu
黑龙江省研究生创新科研项目
项目编号为:YJSCX2012-378HLJ