期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
同方微电子携手宏力半导体稳定量产0.13微米最小闪存存储单元SIM卡
下载PDF
职称材料
导出
摘要
近日,专注智能卡芯片设计的北京同方微电子有限公司(以下简称“同方微电子”)与晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)共同宣布,同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗,且生产良率稳定,产品性能突出,已大量投放国内市场。
出处
《中国集成电路》
2012年第12期3-3,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
半导体制造
SIM卡
闪存技术
微电子
存储单元
微米
稳定
宏
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
同方微电子携手宏力稳定量产0.13微米最小闪存存储单元SIM卡[J]
.集成电路应用,2012(11):46-46.
2
宏力半导体加入ARM代工厂计划[J]
.电子工业专用设备,2006,35(6):12-13.
3
宏力半导体成为领先的微控制器晶圆代工厂[J]
.中国集成电路,2011,20(4):12-12.
4
宏力着手0.13微米工艺[J]
.中国集成电路,2004,13(12):46-46.
5
宏力半导体采用ARM物理IP扩展流水线[J]
.世界电子元器件,2006(1).
6
宏力半导体发布最新低成本高效率0.18μm OTP制程[J]
.世界电子元器件,2009(8):67-67.
7
宏力半导体闪耀亮相IC China2009[J]
.中国集成电路,2009,18(12):6-7.
8
宏力半导体建国内首个O.18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台[J]
.中国集成电路,2012(7):3-3.
9
宏力半导体建国内首个0.18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台[J]
.集成电路通讯,2012,30(3):29-29.
10
宏力半导体采用ARM物理IP扩展其0.18μm和0.13μm流水线[J]
.单片机与嵌入式系统应用,2006,6(2):87-87.
中国集成电路
2012年 第12期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部