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中微公司发布新一代等离子刻蚀设备

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摘要 近日,中微半导体发布了两款新一代刻蚀设备。新设备中的第一款是PrimoSSCAD—RIE(“单反应器甚高频去耦合反应离子介质刻蚀机”),可应用于最先进的存储芯片和逻辑芯片的加工生产,包括2x纳米及lx纳米代高深宽比接触孔刻蚀、沟槽及接触孔刻蚀、串行刻蚀(在单反应器中实现多步操作)。PrimoSSCAD—RIE拥有独特的创新设计,能够在工艺控制方面实现前所未有的灵活性,并能帮助芯片生产商在确保芯片加工质量的同时达到更高的产出效率。
出处 《中国集成电路》 2012年第12期3-3,共1页 China lntegrated Circuit
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