摘要
VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ，以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU，扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点，在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。
出处
《世界电子元器件》
2012年第11期35-35,共1页
Global Electronics China
