1989年IEEE GaAs集成电路年会概况

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摘要 1989年IEEE GaAs集成电路年会于1989年10月22日至10月25日在美国加里福尼亚州圣迭戈(San Diego)市的港湾岛谢拉顿饭店召开,来自各国的代表共722人参加了会议.美国和日本的代表占大多数.会上共发表论文77篇,其中有4篇特邀报告.论文分以下几部分进行报导:1.GaAs数字大规模集成电路8篇,2.GaAs MMIC的新进展8篇,3.

作者周清

机构地区南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期240-243,共4页 Research & Progress of SSE

关键词 GAAS 集成电路 1989年 IEEE 年会

分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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固体电子学研究与进展

1990年第2期

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