自对准AlGaAs/GaAs准弹道异质结双极晶体管(B-HBT)

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摘要 HBT由于采用了宽禁带发射区,充分利用了EB异质结能带的特点,使器件同时具有高的基区掺杂浓度和注入效率,并且,击穿电压高,势垒电容小,因而,适用于超高速数字电路.准弹道HBT在上述基础上又利用了电子在基区内的准弹道渡越性质,使器件的频率特性进一步改善,因而,特别适合于微波及毫米波应用.自对准工艺的实现,可充分降低外基区电阻与集电结电容,充分发挥了HBT的微波与高速性能.

作者陈效建吴英

机构地区南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期233-234,共2页 Research & Progress of SSE

关键词 ALGAAS/GAAS 准弹道双极晶体管

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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固体电子学研究与进展

1990年第2期

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