85MeV^(19)F离子辐照InP正电子湮没研究

Positron Annihilation Study on Radiation Effect in InP Irradiated by 85 MeV ^(19)F Ion

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摘要用正电子湮没寿命技术研究了注量为 1 6× 10 16 cm- 2 的 85MeV 19F离子辐照InP产生的辐照效应。 The radiation effect induced by 85 MeV 19 F ion irradiation of 1.6×10 16 cm -2 in P type InP is investigated by positron annihilation lifetime technique. Monovacancies are detected in irradiated P type InP.

作者王荣徐勇军黄龙朱升云

机构地区中国原子能科学研究院核物理研究所

出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期259-261,共3页 Atomic Energy Science and Technology

基金国家自然科学基金资助项目! (1 9835 0 5 0 ) 国防科技预研跨行业基金资助项目!(97J1 1 2 8HZ0 1 0 )

关键词 ^19F离子辐照效应正电子湮没磷化铟缺陷 InP 19 F ions radiation effect positron annihilation

分类号 O472 [理学—半导体物理] O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]

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原子能科学技术

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